覆盖件模具型面数控加工CAPP研究及应用

对覆盖件模具型面的数控加工工艺进行详细分析。结合工艺优化和工艺经验,以大型加工软件Power MILL 2012为平台,开发了覆盖件模具型面数控加工CAPP工艺模板,规范了模具型面加工工艺参数及路线,提高了数控编程效率和质量,实现了汽车覆盖件模具设计制造的一体化。实际应用证明,该CAPP工艺模板具有实用性和高效性。     

150t顶底复吹转炉底枪改造对其冶金特性的影响

本文采用现场生产数据统计和数值模拟计算相结合的方法对150 t顶底复合吹炼转炉底枪改造前后的冶金特性进行分析,结果表明,改造后的底枪对熔池内钢液的搅拌力增强,显著改善了炉内的冶金动力学条件,加快了熔池内传质及化学反应速率,冶炼过程更接近于平衡态,各项经济技术指标良好,冶金性能优越。     

装配整体式混凝土剪力墙设计技术研究

北京马驹桥物流B东地块公租房10栋高层住宅,总建筑面积15万m2,三层以上采用装配整体式剪力墙结构。介绍该项目的基本概况、设计方式及流程、建筑及结构设计的几项关键技术,包括预制外墙板节点做法、细部构造、连接方式和BIM设计的应用等。     

装配整体式混凝土剪力墙结构预制构件生产工艺研究

马驹桥公租房项目工程预制构件有9大类、189种型号,且采用不同的生产工艺和质量控制要点,对生产和发货的要求很高。介绍构件生产组织、模具加工、钢筋制作、混凝土浇筑及养护、质量控制及出厂验收等工艺和要求,并突出了信息化管理系统在整个生产过程中的重要作用。     

钢管柱-H形梁内加劲铸钢模块节点抗震性能试验研究

介绍了钢管柱-H形梁连接内加劲铸钢模块节点的概念设计方法,对该节点进行了循环往复加载试验研究,考虑了不同轴压比对节点抗震性能的影响。试验结果表明：提出的铸钢模块节点具有良好的延性、较好的耗能能力、较高的承载力,可充分发挥节点域的剪切塑性耗能;铸钢模块节点的延性和耗能能力随着轴压比的增大略有降低。现行美国钢结构规范中的节点受剪承载力公式经修正后可适用于铸钢模块节点,且偏于安全;通过控制梁与节点域的相对强弱,可实现对节点屈服顺序的控制。     

空气源热泵冷剂直热式建筑采暖系统研究现状

针对一种新型的采暖系统,即空气源热泵冷剂直热式建筑采暖系统,介绍了该系统目前存在的3种形式及每种系统的结构及特点,从运行特性、热舒适性、节能性及传热性等方面总结和分析了该系统的研究现状和研究成果,指出了系统中还需解决的问题,并对未来的研究方向做出了展望。     

底抽巷巷道变形实测分析

为了充分发挥底抽巷的作用,从根本上解决河南某矿的瓦斯治理问题,通过现场观测煤巷掘进和工作面回采过程中保护巷的变形情况,掌握一线资料,通过理论分析及实测数据掌握保护巷受采动影响时的变形规律,为保护巷和被保护巷相对位置的选取提供科学、合理的依据。     

基于组合赋权-理想点法的顶底柱开采方案优选研究

为对三山岛金矿顶底柱回采的采矿方法进行科学合理的评价,在综合考虑影响采矿方法因素的基础上,以技术、经济、安全等因素建立综合评价指标体系,采用层次分析法和熵权法对评价指标进行组合赋权,利用基于组合赋权的理想点法对待选方案进行综合评价,计算出各方案的优越度,科学、合理地优选出采矿方法。     

Evolution of silicon bulk lifetime during III–V‐on‐Si multijunction solar cell epitaxial growth

The evolution of Si bulk minority carrier lifetime during the heteroepitaxial growth of III–V on Si multijunction solar cell structures via metal‐organic chemical vapor deposition (MOCVD) has been analyzed. In particular, the impact on Si lifetime resulting from the four distinct phases within the overall MOCVD‐based III–V/Si growth process were studied: (1) the Si homoepitaxial emitter/cap layer; (2) GaP heteroepitaxial nucleation; (3) bulk GaP film growth; and (4) thick GaAs_yP_1‐y compositionally graded metamorphic buffer growth. During Phase 1 (Si homoepitaxy), an approximately two order of magnitude reduction in the Si minority carrier lifetime was observed, from about 450 to ≤1 µs. However, following the GaP nucleation (Phase 2) and thicker film (Phase 3) growths, the lifetime was found to increase by about an order of magnitude. The thick GaAs_yP_1‐y graded buffer was then found to provide further recovery back to around the initial starting value. The most likely general mechanism behind the observed lifetime evolution is as follows: lifetime degradation during Si homoepitaxy because of the formation of thermally induced defects within the Si bulk, with subsequent lifetime recovery due to passivation by fast‐diffusing atomic hydrogen coming from precursor pyrolysis, especially the group‐V hydrides (PH₃, AsH₃), during the III–V growth. These results indicate that the MOCVD growth methodology used to create these target III–V/Si solar cell structures has a substantial and dynamic impact on the minority carrier lifetime within the Si substrate. Copyright © 2015 John Wiley & Sons, Ltd.     

未来科技城再生水厂一期工程工艺设计方案

该文介绍了未来科技城再生水厂一期工程的工艺流程和设计情况。根据水厂进出水水质特征,生物处理工艺采用A/A/O底曝氧化沟,深度处理工艺采用生物滤池+滤布滤池+超滤膜,出水经二氧化氯消毒后供再生水管网。对各处理构筑物的选择和设计参数的选用进行了重点说明,以期为同类水厂的设计提供经验借鉴。